Produção de filmes de ZnO por ALD (atomic layer deposition)
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Palavras-chave

Deposição
Filmes finos
Semicondutores.

Como Citar

OLIVEIRA, Thiago Francisco Clementino de; MARQUES, Francisco das Chagas. Produção de filmes de ZnO por ALD (atomic layer deposition). Revista dos Trabalhos de Iniciação Científica da UNICAMP, Campinas, SP, n. 26, 2019. DOI: 10.20396/revpibic2620181318. Disponível em: https://econtents.sbu.unicamp.br/eventos/index.php/pibic/article/view/1318. Acesso em: 29 out. 2025.

Resumo

Filmes finos de ZnO tem várias aplicações em dispositivos eletrônicos como em diodos, transistores, dispositivos piezoelétricos e células solares. Neste trabalho desenvolvemos este material pela técnica ALD (Atomic Layer Deposition) utilizando um equipamento recém adquirido pelo laboratório de pesquisas fotovoltaicas do IFGW. Esta técnica permite deposições camada-por-camada (layer-by-layer) dos filmes de maneira conformal (o filme se deposita assumindo a forma da superfície do substrato). Investigaremos o efeito da temperatura entre 100 ºC e 300 ºC.

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Copyright (c) 2019 Thiago Francisco Clementino de Oliveira, Francisco das Chagas Marques